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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	500V
Courant du drain	14A
Courant du drain dans l'impulsion	96A
Puissance de dissipation	270W
Boîtier	TO3PN
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,2Ω
Montage	THT
Charge d'entrée	85nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

FDA24N50F

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN

Spécification