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FDA59N30

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDA59N30
Référence TME:
FDA59N30

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
300V
Courant du drain
35A
Courant du drain dans l'impulsion
236A
Puissance de dissipation
500W
Boîtier
TO3PN
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
56mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
0,1µC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5.206 g
Certificates
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FDA59N30
151 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs