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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	80V
Courant du drain	162A
Courant du drain dans l'impulsion	916A
Puissance de dissipation	246W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	2,4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	178nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDB024N08BL7

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK

Spécification

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