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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	120A
Courant du drain dans l'impulsion	856A
Puissance de dissipation	333W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	3,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	116nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDB035N10A

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK

Spécification

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