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FDB045AN08A0

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 75V; 90A; 310W; D2PAK

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDB045AN08A0
Référence TME:
FDB045AN08A0

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
75V
Courant du drain
90A
Puissance de dissipation
310W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
8,4mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
138nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.59 g
Certificates
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FDB045AN08A0
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 800 pcs