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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	164A
Courant du drain dans l'impulsion	656A
Puissance de dissipation	375W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	4,7mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	0,21µC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDB047N10

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK

Spécification

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