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FDB070AN06A0

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 80A; 175W; D2PAK

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDB070AN06A0
Référence TME:
FDB070AN06A0

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
80A
Puissance de dissipation
175W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
15mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
66nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.648 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors SMD à canal N ONSEMI,
*
FDB070AN06A0
582 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.18 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.18 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 2.74 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 2.74 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.47 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.47 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 2.23 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 2.23 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 2.11 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 2.11 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 800 pcs