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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	65A
Courant du drain dans l'impulsion	369A
Puissance de dissipation	234W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	11mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	61nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDB110N15A

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK

Spécification

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