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FDB15N50

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 11A; 300W; D2PAK


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDB15N50
Référence TME:
FDB15N50

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
UniFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
500V
Courant du drain
11A
Puissance de dissipation
300W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,33Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.751 g
Certificates
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FDB15N50
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 800 pcs