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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	UniFET™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	500V
Courant du drain	12,9A
Puissance de dissipation	250W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,26Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDB20N50F

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 500V; 12,9A; 250W; D2PAK

Spécification

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