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FDB2532

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 56A; 310W; D2PAK

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDB2532
Référence TME:
FDB2532

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
150V
Courant du drain
56A
Puissance de dissipation
310W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
14mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
82nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.792 g
Certificates
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FDB2532
172 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 800 pcs