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FDB28N30TM

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 300V; 28A; 250W; D2PAK


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDB28N30TM
Référence TME:
FDB28N30TM

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
UniFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
300V
Courant du drain
28A
Puissance de dissipation
250W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,129Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
50nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.764 g
Certificates
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*
FDB28N30TM
146 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 800 pcs