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FDB3652

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 61A; 150W; D2PAK

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDB3652
Référence TME:
FDB3652

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
61A
Puissance de dissipation
150W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
43mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
53nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.858 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors SMD à canal N ONSEMI,
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FDB3652
56 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.78 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.78 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 2.23 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 2.23 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.95 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.95 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.63 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.63 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.47 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.47 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 800 pcs