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FDB52N20TM

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 52A; 357W; D2PAK


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDB52N20TM
Référence TME:
FDB52N20TM

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
UniFET™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
200V
Courant du drain
52A
Puissance de dissipation
357W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
49mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
63nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.731 g
Certificates
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FDB52N20TM
148 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 800 pcs