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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	80A
Puissance de dissipation	80W
Boîtier	D2PAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	9,4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	67nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDB8896

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 80A; 80W; D2PAK

Spécification

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