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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	300A
Puissance de dissipation	429W
Boîtier	H-PSOF8L
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,65mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	0,22µC
Genre de canal	enrichi

FDBL0065N40

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 40V; 300A; 429W; H-PSOF8L

Spécification