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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	300A
Puissance de dissipation	429W
Boîtier	H-PSOF8L
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	2mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	95nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDBL0200N100

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 300A; 429W; H-PSOF8L

Spécification