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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	200A
Courant du drain dans l'impulsion	1kA
Puissance de dissipation	250W
Boîtier	H-PSOF8L
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	2,6mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	83nC
Genre de canal	enrichi

FDBL0260N100

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W

Spécification