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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	169A
Puissance de dissipation	500W
Boîtier	H-PSOF8L
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	17,5mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	90nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDBL0630N150

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L

Spécification

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