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FDC3601N

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDC3601N
Référence TME:
FDC3601N

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
1A
Puissance de dissipation
0,96W
Boîtier
SuperSOT-6
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
976mΩ
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.026 g
Certificates

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FDC3601N
2879 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs