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FDC5612

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 4,3A; 1,6W; SuperSOT-6

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDC5612
Référence TME:
FDC5612

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
4,3A
Puissance de dissipation
1,6W
Boîtier
SuperSOT-6
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
94mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
18nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.026 g
Certificates

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FDC5612
2785 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs