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FDC606P

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -12V; -6A; 1,6W; SuperSOT-6

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDC606P
Référence TME:
FDC606P

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-12V
Courant du drain
-6A
Puissance de dissipation
1,6W
Boîtier
SuperSOT-6
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
53mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
25nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.184 g
Certificates

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FDC606P
2055 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs