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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-20V
Courant du drain	-3,5A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	SuperSOT-6
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	0,13Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	10nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDC634P

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -20V; -3,5A; 1,6W; SuperSOT-6

Spécification

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