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FDC637AN

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 20V; 6,2A; 1,6W; SuperSOT-6


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDC637AN
Référence TME:
FDC637AN

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
6,2A
Puissance de dissipation
1,6W
Boîtier
SuperSOT-6
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
41mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
16nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.023 g
Certificates

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FDC637AN
2256 dans l'entrepôt TME
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