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Documentation EN
Famille de produits

FDC6401N

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 3A; 0,96W; SuperSOT-6

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDC6401N
Référence TME:
FDC6401N

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
3A
Puissance de dissipation
0,96W
Boîtier
SuperSOT-6
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
106mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
4,6nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.027 g
Certificates

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FDC6401N
1326 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.02 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.02 USD
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.76 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.76 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.53 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.53 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.45 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.45 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.33 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.33 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.32 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs