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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET x2
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-30V
Courant du drain	-1,8A
Puissance de dissipation	0,96W
Boîtier	SuperSOT-6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,28Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	3,5nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDC6506P

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -1,8A; 0,96W

Spécification