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FDC653N

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 5A; 1,6W; SuperSOT-6

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDC653N
Référence TME:
FDC653N

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
5A
Puissance de dissipation
1,6W
Boîtier
SuperSOT-6
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
56mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
16nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.028 g
Certificates

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FDC653N
479 dans l'entrepôt TME
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs