Name: ONSEMI FDC655BN
Brand: ONSEMI
SKU: FDC655BN
Availability: InStock

FDC655BN

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.75 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.75 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.55 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.55 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.38 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.38 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.32 USD

Prix net pour les quantités de 250 pcs - 0.26 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 0.26 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.23 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.23 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.20 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.20 USD

Prix net pour les quantités de 1500 pcs - 0.19 USDPrix brut pour les quantités de 1500 pcs - 0.19 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.18 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.18 USD

Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.17 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.17 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	6,3A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	SuperSOT-6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	36mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	13nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDC655BN

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 6,3A; 1,6W; SuperSOT-6