FDC658AP

Name: ONSEMI FDC658AP
Brand: ONSEMI
SKU: FDC658AP
Availability: InStock

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -4A; 1,6W; SuperSOT-6

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

FDC658AP

Référence TME:

FDC658AP

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.91 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.91 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.71 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.71 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.62 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.62 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.44 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.44 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.38 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.38 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.28 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.28 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.25 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.25 USD

Prix net pour les quantités de 1500 pcs - 0.24 USDPrix brut pour les quantités de 1500 pcs - 0.24 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.24 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.24 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-30V
Courant du drain	-4A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	SuperSOT-6
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	75mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	8,1nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	logic level