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FDC658P

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -30V; -4A; 1,6W; SuperSOT-6

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDC658P
Référence TME:
FDC658P

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-4A
Puissance de dissipation
1,6W
Boîtier
SuperSOT-6
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
80mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
12nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.023 g
Certificates

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FDC658P
2349 dans l'entrepôt TME
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs