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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	2,7A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	SuperSOT-6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	183mΩ
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDC8601

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 2,7A; 1,6W; SuperSOT-6

Spécification

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