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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	2,3A
Courant du drain dans l'impulsion	10A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	SuperSOT-6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	273mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	6nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDC86244

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 150V; 2,3A; Idm: 10A; 1,6W

Spécification

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