+1 500 000 produits offerts

7000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Avez-vous des questions ? Appelez 678.691.2347 (lun-ven 08.00-18.00 EDT)

Enregistrez vous

Quick Buy Favoris

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

Traitement de données en cours

La limite de votre crédit a été dépassée. La commande sera acceptée mais elle ne sera pas traitée. Le calendrier de livraisons des articles ne sera pas non plus déterminé. Veuillez contacter un employé de TME.

L’opération a été réussie

Une erreur imprévue s’est produite. Réessayer.

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	6,5A
Courant du drain dans l'impulsion	25A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	SuperSOT-6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	36mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	7,4nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDC8886

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 6,5A; Idm: 25A; 1,6W

Spécification

REGARDEZ LA VIDÉO