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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	200V
Courant du drain	16A
Courant du drain dans l'impulsion	64A
Puissance de dissipation	89W
Boîtier	DPAK3
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,125Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	30nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD18N20LZ

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3

Spécification