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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	200V
Courant du drain	3,6A
Courant du drain dans l'impulsion	20A
Puissance de dissipation	70W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	275mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	43nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD2670

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 3,6A; Idm: 20A; 70W; DPAK

Spécification

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