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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	34A
Courant du drain dans l'impulsion	100A
Puissance de dissipation	83W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	32mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	57nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD3670

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 34A; Idm: 100A; 83W; DPAK

Spécification