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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	22A
Courant du drain dans l'impulsion	75A
Puissance de dissipation	60W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	64mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	28nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD3690

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 22A; Idm: 75A; 60W; DPAK

Spécification