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FDD3860

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 6,2A; Idm: 60A; 83W; DPAK

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDD3860
Référence TME:
FDD3860

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
6,2A
Courant du drain dans l'impulsion
60A
Puissance de dissipation
83W
Boîtier
DPAK
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
64mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
31nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.399 g
Certificates
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FDD3860
1444 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.87 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.87 USD
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Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.70 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.70 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs