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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	400V
Courant du drain	1,25A
Puissance de dissipation	30W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	3,4Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD3N40TM

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 400V; 1,25A; 30W; DPAK

Spécification