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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	55A
Courant du drain dans l'impulsion	100A
Puissance de dissipation	60W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	16mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	29nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD6680AS

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK

Spécification

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