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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	50A
Puissance de dissipation	153W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	5,2mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	89nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD8444

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 40V; 50A; 153W; DPAK

Spécification