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FDD86367

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 100A; 227W; DPAK

Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDD86367
Référence TME:
FDD86367

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80V
Courant du drain
100A
Puissance de dissipation
227W
Boîtier
DPAK
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
8,4mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
88nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.392 g
Certificates

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FDD86367
403 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.79 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.79 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.81 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.81 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.27 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.27 USD
Prix net pour les quantités de 250 pcs - 1.25 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 1.25 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs