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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	80V
Courant du drain	90A
Puissance de dissipation	150W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	7,9mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	36nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD86369

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 90A; 150W; DPAK

Spécification