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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	86A
Courant du drain dans l'impulsion	240A
Puissance de dissipation	127W
Boîtier	DPAK
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	6,3mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	90nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDD86540

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 86A; Idm: 240A; 127W; DPAK

Spécification

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