FDG6303N

Name: ONSEMI FDG6303N
Brand: ONSEMI
SKU: FDG6303N
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 25V; 500mA; Idm: 1,3A; 0,3W

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

FDG6303N

Référence TME:

FDG6303N

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.33 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.33 USD

Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.28 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.28 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.25 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.25 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.23 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.23 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.19 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.19 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.17 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.17 USD

Prix net pour les quantités de 1500 pcs - 0.15 USDPrix brut pour les quantités de 1500 pcs - 0.15 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.13 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.13 USD

Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.12 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.12 USD

Prix net pour les quantités de 9000 pcs - 0.11 USDPrix brut pour les quantités de 9000 pcs - 0.11 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcsCarton = 12 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
La technologie	DMOS
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	25V
Courant du drain	0,5A
Courant du drain dans l'impulsion	1,3A
Puissance de dissipation	0,3W
Boîtier	SC70-6, SC88, SOT363
Résistance en état de conduction	770mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	2,3nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	logic level