FDG6304P

Name: ONSEMI FDG6304P
Brand: ONSEMI
SKU: FDG6304P
Availability: InStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -25V; -0,41A; 0,3W

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:

FDG6304P

Référence TME:

FDG6304P

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.90 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.90 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.56 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.56 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.37 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.37 USD

Prix net pour les quantités de 250 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 0.32 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.29 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.29 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.26 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.26 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.23 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.23 USD

Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.22 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.22 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	P-MOSFET x2
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-25V
Courant du drain	-0,41A
Puissance de dissipation	0,3W
Boîtier	SC70-6, SC88, SOT363
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	1,9Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	1,5nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi