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FDG6317NZ

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 0,7A; 0,3W; ESD

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDG6317NZ
Référence TME:
FDG6317NZ

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
0,7A
Puissance de dissipation
0,3W
Boîtier
SC70-6, SC88, SOT363
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
0,56Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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FDG6317NZ
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