+1 500 000 produits offerts

7000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Quick Buy Favoris
Panier

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

FDG6322C

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 0,3W

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDG6322C
Référence TME:
FDG6322C

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N/P-MOSFET
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
paire complémentaire
Tension drain-source
25/-25V
Courant du drain
0,22/-0,41A
Puissance de dissipation
0,3W
Boîtier
SC70-6, SC88, SOT363
Tension entrée-source
±8/±8V
Résistance en état de conduction
7/1,9Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
0,4/1,5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.016 g
Certificates

REGARDEZ LA VIDÉO

Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors multicanaux ONSEMI
*
FDG6322C
Produit retiré de l'offre
Utilisez le tableau des spécifications ci-dessous, afin de trouver des produits similaires
Méthode d'emballage par le fabricant:Rouleau = 3 000 pcs