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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-MOSFET x2
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	3,7A
Puissance de dissipation	1,4W
Boîtier	MicroFET
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	90mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	6nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDMA1028NZ

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 3,7A; 1,4W; MicroFET

Spécification

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