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En savoir plus iciFabricant: ONSEMI
Fabricant | ONSEMI | ||
Type de transistor | N-MOSFET x2 | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Tension drain-source | 30V | ||
Courant du drain | 2,9A | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 10A | ||
Puissance de dissipation | 1,5W | ||
Boîtier | MicroFET | ||
Tension entrée-source | ±12V | ||
Résistance en état de conduction | 268mΩ | ||
Montage | SMD | ||
Charge d'entrée | 3nC | ||
Genre de la emballage | bande, rouleau | ||
Genre de canal | enrichi | ||
Version | ESD |